相比20世纪中期，召开正式已经有95%的豺、81%的豹、77%的狼、38%的雪豹在保护地内消失，现存者主要集中在秦岭中部自然保护区群和邛崃山系自然保护区群。

团队深入研究了氟原子的个数、第电联取代位置、第电联骨架规整化、多组分策略等方面对all-PSC器件效率的影响，取得了一系列重要成果，相关工作发表于Adv.EnergyMater.(IF=25.245)，Angew.Chem.Int.Ed.(IF=12.959)，Adv.Funct.Mater.(IF=16.836)及Joule (IF=29.155)等。届热技术图5. 过往经典的聚合物受体氟化策略：连接基元氟化。

产节(d)短路电流-光强变化曲线。文章涉及到的PY-T、耗新IC-2FBr、PY2F-T的化学结构图6. (a)器件结构图 (b)伏安特性曲线。值得注意的是，研讨与相应的二元体系相比，三元共混物显示出更少的能量损失，更好的光吸收和光热稳定性。

此外，通知详细的形貌研究表明，通知基于PY2F-T的混合物显示出较小的相分离尺寸和较高的相区纯度，相关时间分辨实验亦可证实多氟化策略能有效抑制电荷复合。与上篇IC-FBr的氟、召开正式溴共同修饰的端基（IC-FBr1和IC-FBr2的混合物）的工作（Adv.EnergyMater.2021,11,2003171）不同，召开正式该文章进一步合成并纯化了两个不同位置的氟溴取代的端基（IC-FBr-o和IC-FBr-m），然后分别制备了两个名为PYF-T-o和PYF-T-m的区域规整的聚合物受体。

更重要的是，第电联基于PY2F-T的活性层可以在空气条件下进行旋涂加工，仍然可以达到14.37％的效率。

在本工作中，届热技术作者首先开发了一种由氟原子和溴原子同时修饰的二卤化端基IC-FBr，然后将其用于新型聚合物受体(PYF-T)的制备中。此外，产节本文还介绍了能够利用各种化学性质，如相变和氧化还原反应的新兴材料。

耗新（g）电化学多稳定分子层的示意图。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，研讨投稿邮箱[email protected]。

通知（f）NDR+PMOS配置中器件的负载线分析（顶部）和STI特性（底部）。特别是，召开正式本文总结了低维材料（如量子点，召开正式纳米线和原子薄层材料（例如，石墨烯，黑磷（BP），过渡金属硫化物（TMDCs）和化学用途广泛的有机半导体异质结构））在其产生理想器件性能方面的优点和局限性方面的最新进展。